探索SiTime專為導(dǎo)航航空航天和國(guó)防系統(tǒng)設(shè)計(jì)的精密時(shí)間解決方案
來(lái)源:http://www.thetotobox.com 作者:金洛鑫電子 2025年08月23
探索SiTime專為導(dǎo)航航空航天和國(guó)防系統(tǒng)設(shè)計(jì)的精密時(shí)間解決方案
應(yīng)對(duì)嚴(yán)苛環(huán)境的穩(wěn)健性能?
航空航天與國(guó)防系統(tǒng)常常面臨著極端惡劣的工作環(huán)境,從高空的低溫低壓到飛行器內(nèi)部的劇烈振動(dòng),從戰(zhàn)場(chǎng)上的電磁干擾到潛在的物理沖擊,普通計(jì)時(shí)設(shè)備很難在此環(huán)境下穩(wěn)定工作.SiTime晶振的MEMS計(jì)時(shí)解決方案通過(guò)獨(dú)特的設(shè)計(jì),展現(xiàn)出了非凡的環(huán)境適應(yīng)性.?
SiTime的Endura系列振蕩器是應(yīng)對(duì)嚴(yán)苛環(huán)境的典范.該系列產(chǎn)品能夠承受高達(dá)30,000g的沖擊和70g的持續(xù)振動(dòng),其加速度靈敏度低至4ppt/g(萬(wàn)億分之四每克),相比傳統(tǒng)石英解決方案提升了50倍.這意味著在飛行器的劇烈機(jī)動(dòng),武器發(fā)射的瞬間沖擊或戰(zhàn)場(chǎng)上的顛簸環(huán)境中,Endura振蕩器仍能保持穩(wěn)定的頻率輸出,確保導(dǎo)航系統(tǒng)持續(xù)提供精準(zhǔn)的位置信息,通信設(shè)備穩(wěn)定連接,雷達(dá)系統(tǒng)準(zhǔn)確探測(cè)目標(biāo).?同時(shí),Endura系列支持-55ºC至+125ºC的超寬溫度范圍運(yùn)行,滿足了從極地飛行到熱帶作戰(zhàn)等各種極端氣候條件下的使用需求.在衛(wèi)星通信中,衛(wèi)星表面溫度在陽(yáng)光直射和陰影區(qū)之間可發(fā)生劇烈變化,SiTime的MEMS振蕩器憑借出色的溫度穩(wěn)定性,維持了衛(wèi)星通信鏈路的穩(wěn)定,避免因溫度波動(dòng)導(dǎo)致的信號(hào)中斷或數(shù)據(jù)錯(cuò)誤.?
在導(dǎo)航,航空航天晶振和國(guó)防應(yīng)用中,高精度的時(shí)間基準(zhǔn)直接關(guān)系到任務(wù)的成敗.例如,全球?qū)Ш叫l(wèi)星系統(tǒng)(GNSS)依賴精確的時(shí)間同步來(lái)計(jì)算位置信息,時(shí)間偏差可能導(dǎo)致定位誤差,影響飛行器的航線規(guī)劃,導(dǎo)彈的精確制導(dǎo)以及士兵在戰(zhàn)場(chǎng)上的導(dǎo)航精度.?
SiTime的精密計(jì)時(shí)解決方案提供了業(yè)界領(lǐng)先的頻率穩(wěn)定性.以其Super-TCXO產(chǎn)品為例,在全溫度范圍內(nèi)頻率穩(wěn)定性可達(dá)±10ppb(十億分之十),這種超高精度能夠替代傳統(tǒng)的高功耗,體積大且可靠性欠佳的恒溫控制晶體振蕩器(OCXO晶振).在航空電子設(shè)備中,如此精確的時(shí)鐘信號(hào)確保了飛行管理系統(tǒng),通信導(dǎo)航監(jiān)視(CNS)系統(tǒng)等關(guān)鍵子系統(tǒng)之間的精準(zhǔn)協(xié)同,提升了飛行安全性和效率.?此外,SiTime的設(shè)備具有極低的相位噪聲和抖動(dòng)性能,這對(duì)于高速數(shù)據(jù)通信和雷達(dá)信號(hào)處理至關(guān)重要.在戰(zhàn)術(shù)通信系統(tǒng)中,低抖動(dòng)的時(shí)鐘信號(hào)能夠減少數(shù)據(jù)傳輸中的誤碼率,保障加密通信的安全性和可靠性;在雷達(dá)系統(tǒng)中,高精度的時(shí)間基準(zhǔn)有助于提高目標(biāo)檢測(cè)的分辨率和準(zhǔn)確性,能夠更精準(zhǔn)地識(shí)別和跟蹤空中,海上或地面目標(biāo).?
助力系統(tǒng)小型化與集成化?
隨著航空航天和國(guó)防技術(shù)的發(fā)展,系統(tǒng)對(duì)小型化,輕量化和集成化的需求日益迫切.傳統(tǒng)的石英計(jì)時(shí)設(shè)備由于其物理特性和封裝方式,在尺寸和重量上往往成為系統(tǒng)小型化的瓶頸.SiTime的MEMS計(jì)時(shí)解決方案則為這一難題提供了理想答案.?
SiTime的MEMS諧振器采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,尺寸大幅縮小.例如,其部分產(chǎn)品的晶粒尺寸僅為0.4mmx0.4mm,相比傳統(tǒng)石英晶體諧振器縮小了數(shù)倍,質(zhì)量也僅為后者的三千分之一.這種微型化設(shè)計(jì)使得SiTime的計(jì)時(shí)解決方案能夠輕松集成到空間受限的設(shè)備中,如無(wú)人機(jī)的飛控系統(tǒng),便攜式單兵作戰(zhàn)裝備以及衛(wèi)星的小型化載荷中.?
同時(shí),SiTime的產(chǎn)品可以與其他芯片實(shí)現(xiàn)高度集成.通過(guò)將MEMS諧振器,驅(qū)動(dòng)電路,溫度補(bǔ)償模塊等集成在單一硅片上,不僅減少了電路板上的元件數(shù)量,降低了系統(tǒng)復(fù)雜度和成本,還提高了系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性.在一些先進(jìn)的航空電子系統(tǒng)中,SiTime的集成式計(jì)時(shí)解決方案與微處理器,傳感器等芯片協(xié)同工作,形成了緊湊而高效的系統(tǒng)架構(gòu),為航空航天和國(guó)防設(shè)備的小型化,智能化發(fā)展注入了強(qiáng)大動(dòng)力.?
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靈活可編程特性滿足多樣化需求?
導(dǎo)航,航空航天和國(guó)防系統(tǒng)具有多樣化的應(yīng)用場(chǎng)景和復(fù)雜的功能需求,單一規(guī)格的計(jì)時(shí)產(chǎn)品很難滿足所有需求.SiTime的精密計(jì)時(shí)解決方案具備高度的可編程特性,為用戶提供了極大的靈活性.?SiTime的產(chǎn)品頻率可編程精度可達(dá)小數(shù)點(diǎn)后6位,用戶能夠根據(jù)具體應(yīng)用需求選擇最適合的頻率,以優(yōu)化系統(tǒng)性能.在不同頻段的通信系統(tǒng)中,通過(guò)精確設(shè)置時(shí)鐘頻率,可以有效避免信號(hào)干擾,提高通信質(zhì)量;在雷達(dá)系統(tǒng)中,靈活的頻率設(shè)置能夠?qū)崿F(xiàn)多種工作模式的切換,適應(yīng)不同的探測(cè)任務(wù).?此外,SiTime的部分產(chǎn)品還支持工作電壓,穩(wěn)定性等參數(shù)的可編程設(shè)置,以及諸如擴(kuò)頻,拉頻范圍,差分輸出晶振類型等特殊功能的定制.這種靈活性使得SiTime的計(jì)時(shí)解決方案能夠快速響應(yīng)不同客戶,不同項(xiàng)目的個(gè)性化需求,無(wú)論是為新型戰(zhàn)斗機(jī)開(kāi)發(fā)先進(jìn)的航電系統(tǒng),還是為特種部隊(duì)設(shè)計(jì)便攜式通信設(shè)備,SiTime都能提供量身定制的時(shí)間解決方案,助力客戶打造具有競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品.
探索SiTime專為導(dǎo)航航空航天和國(guó)防系統(tǒng)設(shè)計(jì)的精密時(shí)間解決方案OCETGCJTNF-48.000000 | Taitien | OC | XO (Standard) | 48 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
OXETDCJANF-0.032768 | Taitien | OX | XO (Standard) | 32.768 kHz | CMOS | 3.3V | ±25ppm |
OCETDLJANF-25.000000 | Taitien | OC | XO (Standard) | 25 MHz | CMOS | 3.3V | ±25ppm |
TZKTADSANF-26.000000 | Taitien | TZ | TCXO | 26 MHz | Clipped Sine Wave | 1.8V | ±500ppb |
TXEABLSANF-24.000000 | Taitien | TX | VCTCXO | 24 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±1ppm |
TXEABLSANF-26.000000 | Taitien | TX | VCTCXO | 26 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±1ppm |
TXKTPCSANF-32.000000 | Taitien | TX | TCXO | 32 MHz | Clipped Sine Wave | 1.8V | ±1.5ppm |
TXEAADSANF-20.000000 | Taitien | TX | VCTCXO | 20 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±500ppb |
TXETALSANF-10.000000 | Taitien | TX | TCXO | 10 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±500ppb |
TYETBCSANF-32.000000 | Taitien | TY | TCXO | 32 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±1ppm |
TYETBLSANF-40.000000 | Taitien | TY | TCXO | 40 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±1ppm |
TYEAPLSANF-40.000000 | Taitien | TY | VCTCXO | 40 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±1.5ppm |
TYETACSANF-26.000000 | Taitien | TY | TCXO | 26 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±500ppb |
TYEAACSANF-38.400000 | Taitien | TY | VCTCXO | 38.4 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±500ppb |
VLCUWCWTNF-100.000000 | Taitien | VLCU | VCXO | 100 MHz | Sine Wave | 5V | ±35ppm |
TSEAALJANF-10.000000 | Taitien | TS | VCTCXO | 10 MHz | CMOS | 3.3V | ±500ppb |
TWETALJANF-40.000000 | Taitien | TW | TCXO | 40 MHz | CMOS | 3.3V | ±500ppb |
TWEAKLJANF-20.000000 | Taitien | TW | VCTCXO | 20 MHz | CMOS | 3.3V | ±280ppb |
TTETKLJANF-10.000000 | Taitien | TT | TCXO | 10 MHz | CMOS | 3.3V | ±280ppb |
TTEAKLJANF-10.000000 | Taitien | TT | VCTCXO | 10 MHz | CMOS | 3.3V | ±280ppb |
TTETKLSANF-10.000000 | Taitien | TT | TCXO | 10 MHz | Clipped Sine Wave | 3.3V | ±280ppb |
TSEATLJANF-10.000000 | Taitien | TS | VCTCXO | 10 MHz | CMOS | 3.3V | ±4.6ppm |
TWETMCJANF-10.000000 | Taitien | TW | TCXO | 10 MHz | CMOS | 3.3V | ±100ppb |
TTEAALJANF-50.000000 | Taitien | TT | VCTCXO | 50 MHz | CMOS | 3.3V | ±500ppb |
NNENCLJNNF-10.000000 | Taitien | NN | OCXO | 10 MHz | CMOS | 3.3V | ±20ppb |
NI-10M-2400 | Taitien | NI-10M-2400 | OCXO | 10 MHz | LVTTL | 5V | ±3ppb |
NI-10M-2403 | Taitien | NI-10M-2400 | OCXO | 10 MHz | LVTTL | 5V | ±3ppb |
NI-10M-2503 | Taitien | NI-10M-2500 | OCXO | 10 MHz | Sine Wave | 5V | ±3ppb |
NI-100M-2900 | Taitien | NI-100M-2900 | OCXO | 100 MHz | Sine Wave | 12V | ±50ppb |
NA-100M-6822 | Taitien | NA-100M-6800 | OCXO | 100 MHz | Sine Wave | 12V | ±100ppb |
OCKTGLJANF-0.032768 | Taitien | OC | XO (Standard) | 32.768 kHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
OCETGLJTNF-100.000000 | Taitien | OC | XO (Standard) | 100 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
TXETCLSANF-40.000000 | Taitien | TX | TCXO | 40 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±2ppm |
TXETDDSANF-16.000000 | Taitien | TX | TCXO | 16 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±2.5ppm |
TXETDCSANF-20.000000 | Taitien | TX | TCXO | 20 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±2.5ppm |
TXETBLSANF-40.000000 | Taitien | TX | TCXO | 40 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±1ppm |
TXEABDSANF-32.000000 | Taitien | TX | VCTCXO | 32 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±1ppm |
TXETDDSANF-30.000000 | Taitien | TX | TCXO | 30 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±2.5ppm |
TXETBLSANF-26.000000 | Taitien | TX | TCXO | 26 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±1ppm |
TXEAPDSANF-19.200000 | Taitien | TX | VCTCXO | 19.2 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±1.5ppm |
TXEAPLSANF-40.000000 | Taitien | TX | VCTCXO | 40 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±1.5ppm |
TXEACDSANF-26.000000 | Taitien | TX | VCTCXO | 26 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±2ppm |
TXEACDSANF-20.000000 | Taitien | TX | VCTCXO | 20 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±2ppm |
TXETBLSANF-27.000000 | Taitien | TX | TCXO | 27 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±1ppm |
TXETBLSANF-19.200000 | Taitien | TX | TCXO | 19.2 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±1ppm |
TXETALSANF-26.000000 | Taitien | TX | TCXO | 26 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±500ppb |
TXEAACSANF-40.000000 | Taitien | TX | VCTCXO | 40 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±500ppb |
TXEAADSANF-25.000000 | Taitien | TX | VCTCXO | 25 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±500ppb |
TYETBLSANF-38.400000 | Taitien | TY | TCXO | 38.4 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±1ppm |
TYETBCSANF-50.000000 | Taitien | TY | TCXO | 50 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±1ppm |
TYETACSANF-32.000000 | Taitien | TY | TCXO | 32 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±500ppb |
TYETACSANF-20.000000 | Taitien | TY | TCXO | 20 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±500ppb |
PYEUCJJANF-100.000000 | Taitien | FASTXO | XO (Standard) | 100 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±20ppm |
TWEAALSANF-10.000000 | Taitien | TW | VCTCXO | 10 MHz | Clipped Sine Wave | 3.3V | ±500ppb |
TTETKLJANF-30.720000 | Taitien | TT | TCXO | 30.72 MHz | CMOS | 3.3V | ±280ppb |
TTEAMCSANF-10.000000 | Taitien | TT | VCTCXO | 10 MHz | Clipped Sine Wave | 3.3V | ±100ppb |
OYKTGLJANF-0.032768 | Taitien | OY | XO (Standard) | 32.768 kHz | CMOS | 1.8V | ±50ppm |
OYETDLJANF-25.000000 | Taitien | OY | XO (Standard) | 25 MHz | CMOS | 3.3V | ±25ppm |
TXETDDSANF-19.200000 | Taitien | TX | TCXO | 19.2 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±2.5ppm |
TXETCLSANF-25.000000 | Taitien | TX | TCXO | 25 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±2ppm |
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