SiT5503在頻率穩定性方面表現堪稱卓越.其基于SiTime晶振獨特的ElitePlatform™振蕩器架構,采用DualMEMS™芯片技術,實現了在極為寬泛的-40°C至+95°C溫度范圍內,頻率穩定性達到±5ppb(十億分之一).這種超高的頻率穩定性相較于傳統石英晶體振蕩器有了質的飛躍.傳統石英TCXO由于石英晶體諧振器和溫度傳感器之間熱耦合不佳,在溫度變化時,難以快速且精準地調整頻率輸出,導致頻率穩定性受限,在復雜環境下,其頻率偏差可能達到幾十ppb甚至更高.而SiT5503通過TurboCompensation™溫度補償技術,利用芯片內兩個硅MEMS諧振器的協同工作,一個諧振器具有在溫度范圍內平坦的頻率響應(TempFlat™MEMS振蕩器技術),另一個用作極其精確的溫度傳感器,能夠以30µK的分辨率和100秒頻率運行帶寬,快速且準確地獲取諧振器溫度讀數,并以此為依據對頻率進行實時補償.這使得SiT5503能夠在各種復雜環境下,始終為數據中心設備提供穩定,精準的時鐘信號,確保設備在不同溫度條件下都能穩定運行,極大地減少了因頻率波動導致的數據傳輸錯誤和計算誤差,為AI工作負載的高效運行奠定了堅實基礎.??

SiT5503能夠提供1至60MHz的任意頻率輸出,這種極寬的頻率輸出范圍為數據中心的多樣化設備提供了極大的適配靈活性.在數據中心中,不同的服務器,網絡交換機,存儲設備以及AI加速卡等組件,可能需要不同頻率的時鐘信號來驅動其內部的各種芯片和電路模塊,以實現最佳性能.例如,一些高速數據傳輸接口可能需要較高頻率的時鐘信號來保證數據的快速傳輸,而某些對功耗敏感的低功耗設備則可能更適合較低頻率的時鐘信號.SiT5503的任意頻率輸出功能,使得數據中心的系統設計人員能夠根據不同設備的具體需求,靈活配置晶振的輸出頻率,無需為不同設備尋找多種不同規格的晶振,大大簡化了系統設計過程,降低了成本和庫存管理的復雜性,同時也提高了整個數據中心系統的兼容性和可靠性,為AI工作負載在不同設備間的高效協同運行提供了有力保障.??

從啟動到達到最終穩定狀態,SiT5503僅需2秒.這一快速穩定響應特性在數據中心的實際運行中具有重要意義.在數據中心設備啟動階段,尤其是當AI工作負載需要迅速加載大量數據并開始復雜計算任務時,傳統晶振可能需要較長時間才能達到穩定的頻率輸出,這會導致設備啟動延遲,影響整個系統的響應速度.而SiT5503能夠在極短時間內穩定工作,為設備快速提供精準時鐘信號,使得服務器,AI加速設備等能夠迅速進入正常工作狀態,大大縮短了系統啟動時間,提高了AI工作負載的啟動效率.此外,在數據中心設備運行過程中,當遇到突發的工作負載變化,如瞬間涌入大量AI計算任務時,SiT5503能夠快速響應,保持穩定的頻率輸出,確保設備不會因工作負載的突然變化而出現時鐘信號不穩定的情況,保障了AI工作負載的連續性和高效性.?

SiT5503對AI工作負載效率的提升作用?

(一)優化數據傳輸與處理?

在數據中心中,數據的高速,準確傳輸是支持AI工作負載的基礎.AI模型訓練和推理過程中,需要在服務器,存儲設備和網絡設備之間頻繁傳輸海量的數據.SiT5503貼片石英晶振的超高頻率穩定性和快速穩定響應特性,能夠確保數據傳輸過程中的時鐘信號精準同步.例如,在高速網絡交換機中,穩定的時鐘信號可保證數據幀的準確發送和接收,避免因時鐘偏差導致的數據丟包,重傳等問題,大大提高了數據傳輸的速率和可靠性.對于AI服務器內部的CPU,GPU等計算芯片而言,精準的時鐘信號能夠協調芯片內各個運算單元的工作節奏,使得復雜的AI算法運算能夠高效,準確地進行.以深度學習中的矩陣運算為例,穩定的時鐘信號可確保矩陣乘法,加法等操作在不同計算單元之間的同步執行,避免因時鐘不同步導致的計算錯誤,從而顯著提升AI模型的訓練和推理速度,提高AI工作負載的數據處理效率.?

(二)降低設備功耗與散熱壓力?

隨著AI工作負載的不斷增加,數據中心設備的功耗和散熱問題日益嚴峻.SiT5503在保證高性能的同時,具有出色的功耗表現,其功耗僅為110mw(在2.5V電壓下).較低的功耗意味著設備在運行過程中產生的熱量更少,這對于數據中心的散熱系統來說,能夠有效減輕散熱壓力.在數據中心中,大量的服務器和網絡設備密集部署,散熱成本占據了運營成本的很大一部分.使用SiT5503超精密溫度補償晶體振蕩器,可降低設備的整體功耗,減少設備產生的熱量,進而降低散熱系統的運行功率和維護成本.例如,對于一臺典型的AI服務器,若使用傳統高功耗晶振,其在長時間運行AI工作負載時,芯片產生的熱量可能需要大功率的散熱風扇或液冷系統來進行散熱.而采用SiT5503后,由于晶振功耗降低,服務器整體發熱量減少,可能只需較小功率的散熱設備就能維持正常工作溫度,這不僅降低了散熱成本,還減少了因散熱設備故障導致的設備過熱風險,提高了設備的穩定性和可靠性,為AI工作負載的持續高效運行提供了更穩定的環境.?

(三)增強系統可靠性與穩定性?

AI工作負載對數據中心系統的可靠性和穩定性要求極高.任何系統故障或中斷都可能導致AI模型訓練中斷,數據丟失,造成巨大的時間和資源浪費.SiT5503憑借其在復雜環境下的卓越性能,為數據中心系統的可靠性和穩定性提供了有力保障.其在-40°C至+95°C的寬溫度范圍內都能保持穩定的頻率輸出,這使得數據中心設備即使在環境溫度波動較大的情況下,也能正常工作.例如,在一些沒有完善空調制冷系統的邊緣數據中心,或者在數據中心設備密集,散熱條件不佳的區域,設備可能會面臨較高的環境溫度.此時,SiT5503能夠確保設備的時鐘信號不受溫度影響,穩定運行.同時,其優秀的抗干擾能力,能夠抵御數據中心內各種電磁干擾,避免因電磁干擾導致的時鐘信號紊亂.在數據中心中,大量的電子設備同時運行,會產生復雜的電磁環境,傳統晶振可能會受到電磁干擾而出現頻率漂移等問題.而SiT5503通過優化的電路設計和封裝結構,有效屏蔽外界電磁干擾,始終保持穩定的頻率輸出,確保AI工作負載在各種復雜環境下都能穩定,可靠地運行,大大提高了數據中心系統的整體可靠性和穩定性.

OCETGCJTNF-48.000000	Taitien	OC	XO (Standard)	48 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OXETDCJANF-0.032768	Taitien	OX	XO (Standard)	32.768 kHz	CMOS	3.3V	±25ppm
OCETDLJANF-25.000000	Taitien	OC	XO (Standard)	25 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
TZKTADSANF-26.000000	Taitien	TZ	TCXO	26 MHz	Clipped Sine Wave	1.8V	±500ppb
TXEABLSANF-24.000000	Taitien	TX	VCTCXO	24 MHz	Clipped Sine Wave	2.8V ~ 3.3V	±1ppm
TXEABLSANF-26.000000	Taitien	TX	VCTCXO	26 MHz	Clipped Sine Wave	2.8V ~ 3.3V	±1ppm
TXKTPCSANF-32.000000	Taitien	TX	TCXO	32 MHz	Clipped Sine Wave	1.8V	±1.5ppm
TXEAADSANF-20.000000	Taitien	TX	VCTCXO	20 MHz	Clipped Sine Wave	2.8V ~ 3.3V	±500ppb
TXETALSANF-10.000000	Taitien	TX	TCXO	10 MHz	Clipped Sine Wave	2.8V ~ 3.3V	±500ppb
TYETBCSANF-32.000000	Taitien	TY	TCXO	32 MHz	Clipped Sine Wave	2.8V ~ 3.3V	±1ppm
TYETBLSANF-40.000000	Taitien	TY	TCXO	40 MHz	Clipped Sine Wave	2.8V ~ 3.3V	±1ppm
TYEAPLSANF-40.000000	Taitien	TY	VCTCXO	40 MHz	Clipped Sine Wave	2.8V ~ 3.3V	±1.5ppm
TYETACSANF-26.000000	Taitien	TY	TCXO	26 MHz	Clipped Sine Wave	2.8V ~ 3.3V	±500ppb
TYEAACSANF-38.400000	Taitien	TY	VCTCXO	38.4 MHz	Clipped Sine Wave	2.8V ~ 3.3V	±500ppb
VLCUWCWTNF-100.000000	Taitien	VLCU	VCXO	100 MHz	Sine Wave	5V	±35ppm
TSEAALJANF-10.000000	Taitien	TS	VCTCXO	10 MHz	CMOS	3.3V	±500ppb
TWETALJANF-40.000000	Taitien	TW	TCXO	40 MHz	CMOS	3.3V	±500ppb
TWEAKLJANF-20.000000	Taitien	TW	VCTCXO	20 MHz	CMOS	3.3V	±280ppb
TTETKLJANF-10.000000	Taitien	TT	TCXO	10 MHz	CMOS	3.3V	±280ppb
TTEAKLJANF-10.000000	Taitien	TT	VCTCXO	10 MHz	CMOS	3.3V	±280ppb
TTETKLSANF-10.000000	Taitien	TT	TCXO	10 MHz	Clipped Sine Wave	3.3V	±280ppb
TSEATLJANF-10.000000	Taitien	TS	VCTCXO	10 MHz	CMOS	3.3V	±4.6ppm
TWETMCJANF-10.000000	Taitien	TW	TCXO	10 MHz	CMOS	3.3V	±100ppb
TTEAALJANF-50.000000	Taitien	TT	VCTCXO	50 MHz	CMOS	3.3V	±500ppb
NNENCLJNNF-10.000000	Taitien	NN	OCXO	10 MHz	CMOS	3.3V	±20ppb
NI-10M-2400	Taitien	NI-10M-2400	OCXO	10 MHz	LVTTL	5V	±3ppb
NI-10M-2403	Taitien	NI-10M-2400	OCXO	10 MHz	LVTTL	5V	±3ppb
NI-10M-2503	Taitien	NI-10M-2500	OCXO	10 MHz	Sine Wave	5V	±3ppb
NI-100M-2900	Taitien	NI-100M-2900	OCXO	100 MHz	Sine Wave	12V	±50ppb
NA-100M-6822	Taitien	NA-100M-6800	OCXO	100 MHz	Sine Wave	12V	±100ppb
OCKTGLJANF-0.032768	Taitien	OC	XO (Standard)	32.768 kHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLJTNF-100.000000	Taitien	OC	XO (Standard)	100 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
TXETCLSANF-40.000000	Taitien	TX	TCXO	40 MHz	Clipped Sine Wave	2.8V ~ 3.3V	±2ppm
TXETDDSANF-16.000000	Taitien	TX	TCXO	16 MHz	Clipped Sine Wave	2.8V ~ 3.3V	±2.5ppm
TXETDCSANF-20.000000	Taitien	TX	TCXO	20 MHz	Clipped Sine Wave	2.8V ~ 3.3V	±2.5ppm
TXETBLSANF-40.000000	Taitien	TX	TCXO	40 MHz	Clipped Sine Wave	2.8V ~ 3.3V	±1ppm
TXEABDSANF-32.000000	Taitien	TX	VCTCXO	32 MHz	Clipped Sine Wave	2.8V ~ 3.3V	±1ppm
TXETDDSANF-30.000000	Taitien	TX	TCXO	30 MHz	Clipped Sine Wave	2.8V ~ 3.3V	±2.5ppm
TXETBLSANF-26.000000	Taitien	TX	TCXO	26 MHz	Clipped Sine Wave	2.8V ~ 3.3V	±1ppm
TXEAPDSANF-19.200000	Taitien	TX	VCTCXO	19.2 MHz	Clipped Sine Wave	2.8V ~ 3.3V	±1.5ppm
TXEAPLSANF-40.000000	Taitien	TX	VCTCXO	40 MHz	Clipped Sine Wave	2.8V ~ 3.3V	±1.5ppm
TXEACDSANF-26.000000	Taitien	TX	VCTCXO	26 MHz	Clipped Sine Wave	2.8V ~ 3.3V	±2ppm
TXEACDSANF-20.000000	Taitien	TX	VCTCXO	20 MHz	Clipped Sine Wave	2.8V ~ 3.3V	±2ppm
TXETBLSANF-27.000000	Taitien	TX	TCXO	27 MHz	Clipped Sine Wave	2.8V ~ 3.3V	±1ppm
TXETBLSANF-19.200000	Taitien	TX	TCXO	19.2 MHz	Clipped Sine Wave	2.8V ~ 3.3V	±1ppm
TXETALSANF-26.000000	Taitien	TX	TCXO	26 MHz	Clipped Sine Wave	2.8V ~ 3.3V	±500ppb
TXEAACSANF-40.000000	Taitien	TX	VCTCXO	40 MHz	Clipped Sine Wave	2.8V ~ 3.3V	±500ppb
TXEAADSANF-25.000000	Taitien	TX	VCTCXO	25 MHz	Clipped Sine Wave	2.8V ~ 3.3V	±500ppb
TYETBLSANF-38.400000	Taitien	TY	TCXO	38.4 MHz	Clipped Sine Wave	2.8V ~ 3.3V	±1ppm
TYETBCSANF-50.000000	Taitien	TY	TCXO	50 MHz	Clipped Sine Wave	2.8V ~ 3.3V	±1ppm
TYETACSANF-32.000000	Taitien	TY	TCXO	32 MHz	Clipped Sine Wave	2.8V ~ 3.3V	±500ppb
TYETACSANF-20.000000	Taitien	TY	TCXO	20 MHz	Clipped Sine Wave	2.8V ~ 3.3V	±500ppb
PYEUCJJANF-100.000000	Taitien	FASTXO	XO (Standard)	100 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±20ppm
TWEAALSANF-10.000000	Taitien	TW	VCTCXO	10 MHz	Clipped Sine Wave	3.3V	±500ppb
TTETKLJANF-30.720000	Taitien	TT	TCXO	30.72 MHz	CMOS	3.3V	±280ppb
TTEAMCSANF-10.000000	Taitien	TT	VCTCXO	10 MHz	Clipped Sine Wave	3.3V	±100ppb
OYKTGLJANF-0.032768	Taitien	OY	XO (Standard)	32.768 kHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OYETDLJANF-25.000000	Taitien	OY	XO (Standard)	25 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
TXETDDSANF-19.200000	Taitien	TX	TCXO	19.2 MHz	Clipped Sine Wave	2.8V ~ 3.3V	±2.5ppm
TXETCLSANF-25.000000	Taitien	TX	TCXO	25 MHz	Clipped Sine Wave	2.8V ~ 3.3V	±2ppm

正在載入評論數據...

上一篇：探索SiTime專為導航航空航天和國防系統設計的精密時間解決方案

下一篇：Transko特蘭斯科推出了結合MEMS技術的TMM振蕩器

此文關鍵字：石英有源振蕩器

国产精品推荐精品,美女扒开尿口让男人操亚洲视频网站,91国内精品,欧美日韩国产一中文字不卡

資訊中心

金洛博客

SiT5503超精密溫度補償晶體振蕩器助力數據中心實現更高AI工作負載效率

相關資訊

姓名：
郵箱：
正文：